Το IMD14T108 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την IMD14T108, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το IMD14T108 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε IMD14T108 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
IMD14T108
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IMD14T108
- Κατασκευαστής:
- LAPIS Semiconductor
- Περιγραφή:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 49218 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IMD14T108.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 50V |
| VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 5mA, 100mA |
| transistor Τύπος: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SMT6 |
| Σειρά: | - |
| Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2): | 10 kOhms |
| Αντίσταση - Βάση (R1): | 220 Ohms |
| Ισχύς - Max: | 300mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-74, SOT-457 |
| Αλλα ονόματα: | IMD14T108-ND IMD14T108TR |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Συχνότητα - Μετάβαση: | 250MHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 82 @ 100mA, 5V |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 500nA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 500mA |
| Αριθμός μέρους βάσης: | MD14 |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IMD14T108
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
DDA143EH-7 | Diodes Incorporated | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 | Έρευνα |
 |
PUMD6,135 | Nexperia | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | Έρευνα |
 |
IMD1AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
|
IMD10AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
|
IMD16AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
 |
IMD22C | Crouzet | IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M | Έρευνα |
|
IMD6AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
 |
NSBC115EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | Έρευνα |
 |
RN2711JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV | Έρευνα |
|
IMD9AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
|
IMD14C | Crouzet | IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M | Έρευνα |
 |
DMG963H50R | Panasonic | TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5 | Έρευνα |
|
IMD24C | Crouzet | IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M | Έρευνα |
|
IMD10AMT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R | Έρευνα |
|
IMD12C | Crouzet | IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M | Έρευνα |
 |
NSB1706DMW5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70 | Έρευνα |
|
IMD2AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
|
IMD8AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
|
IMD3AT108 | LAPIS Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | Έρευνα |
 |
IMD23T108 | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών