HUF76439S3ST
HUF76439S3ST
Αριθμός εξαρτήματος:
HUF76439S3ST
Κατασκευαστής:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
36708 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
HUF76439S3ST.pdf

Εισαγωγή

Το HUF76439S3ST είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την HUF76439S3ST, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το HUF76439S3ST μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε HUF76439S3ST με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:D²PAK (TO-263AB)
Σειρά:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):180W (Tc)
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Αλλα ονόματα:HUF76439S3STCT
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:12 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:2745pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:84nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):60V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 60V 75A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις