HUF76439S3ST
HUF76439S3ST
Modèle de produit:
HUF76439S3ST
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
36708 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
HUF76439S3ST.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
Séries:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:HUF76439S3STCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2745pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:84nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:N-Channel 60V 75A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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