Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - IGBTs - Single > GT10J312(Q)
GT10J312(Q)
Αριθμός εξαρτήματος:
GT10J312(Q)
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή:
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
37997 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
GT10J312(Q).pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το GT10J312(Q) είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GT10J312(Q), έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GT10J312(Q) μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GT10J312(Q) με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 10A
Test Condition:300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Td (on / off) στους 25 ° C:400ns/400ns
εναλλαγή Ενέργειας:-
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-220SM
Σειρά:-
Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR):200ns
Ισχύς - Max:60W
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας:150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Τύπος εισόδου:Standard
IGBT Τύπος:-
Λεπτομερής περιγραφή:IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM):20A
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):10A
Αριθμός μέρους βάσης:GT10
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για GT10J312(Q)

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage IGBT 400V 1W 8-SOIC Έρευνα
GT150L130A Carlo Gavazzi TOR LUG 150A 95-130A Έρευνα
GT102B1K Image GT102B1K U.S. Sensor THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD Έρευνα
GT12S0.63A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 0.4-0.63A Έρευνα
GT12S6A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 4-6A Έρευνα
GT12S8A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 5-8A Έρευνα
GT104L1K Image GT104L1K U.S. Sensor THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD Έρευνα
GT12S9A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 6-9A Έρευνα
GT150L50A Carlo Gavazzi TOR LUG 150A 34-50A Έρευνα
GT12S10A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 7-10A Έρευνα
GT12S2.5A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 1.6-2.5A Έρευνα
GT105U1K Image GT105U1K U.S. Sensor THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD Έρευνα
GT150L150A Carlo Gavazzi TOR LUG 150A 110-150A Έρευνα
GT12S1.6A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 1-1.6A Έρευνα
GT103J1K Image GT103J1K U.S. Sensor THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD Έρευνα
GT150L105A Image GT150L105A Carlo Gavazzi TOR LUG 150A 80-105A Έρευνα
GT12S13A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 9-13A Έρευνα
GT12S1A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 0.63-1A Έρευνα
GT103E1K Image GT103E1K U.S. Sensor THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD Έρευνα
GT12S4A Carlo Gavazzi TOR SCREW 12A 2.5-4A Έρευνα

Latest Ειδήσεις