GT10J312(Q) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GT10J312(Q), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GT10J312(Q) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GT10J312(Q) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GT10J312(Q)
- Part Number:
- GT10J312(Q)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37997 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- GT10J312(Q).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Stan testu: | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 400ns/400ns |
| Przełączanie Energy: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220SM |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 200ns |
| Moc - Max: | 60W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 20A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 10A |
| Podstawowy numer części: | GT10 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GT10J312(Q)
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC