Το GN2010EAINTE3D είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την GN2010EAINTE3D, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το GN2010EAINTE3D μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε GN2010EAINTE3D με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
GN2010EAINTE3D
- Αριθμός εξαρτήματος:
- GN2010EAINTE3D
- Κατασκευαστής:
- Semtech
- Περιγραφή:
- IC CDR EML DVR DUAL 32QFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 40481 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- GN2010EAINTE3D.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Σειρά: | * |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για GN2010EAINTE3D
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
GN2023-INE3 | Semtech | 10G ETHERNET RX CDR | Έρευνα |
|
GN2024-INE3 | Semtech | 10G ETHERNET TX CDR | Έρευνα |
|
GN2013EINE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | Έρευνα |
|
GN2013CCNE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | Έρευνα |
|
GN2013ACNE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | Έρευνα |
|
GN2004SCNTE3D | Semtech | 10G SONET TX CDR | Έρευνα |
 |
GN2004SCNE3 | Semtech | 10G SONET TX CDR | Έρευνα |
|
GN2012AINE3 | Semtech | DUAL 10G CDR | Έρευνα |
|
GN2017AINTE3Z | Semtech | DUAL 14G CDR+VCSEL DRVR | Έρευνα |
|
GN2013DINE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | Έρευνα |
|
GN2044SINE3 | Semtech | QFN-32 PIN | Έρευνα |
|
GN2104R3BINE3 | Semtech | MODULE RETIMER CDR | Έρευνα |
|
GN2003SCNE3 | Semtech | 10G SONET RX CDR | Έρευνα |
|
GN2003SCNTE3D | Semtech | 10G SONET RX CDR | Έρευνα |
|
GN2010EAINE3 | Semtech | DUAL 10G CDR + EML DRIVER | Έρευνα |
|
GN2010D-INE3 | Semtech | DUAL 10G CDR + DML DRIVER | Έρευνα |
|
GN2105A-IBE | Semtech | MODULE CLEAREDGE CDR FC-CSP | Έρευνα |
|
GN2017AINE3 | Semtech | DUAL 14G CDR+VCSEL DRVR | Έρευνα |
|
GN2014ACNE3 | Semtech | 10G CDR + VCSEL DRIVER | Έρευνα |
|
GN2104R2BINE3 | Semtech | MODULE RETIMER CDR | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο