GN2010EAINTE3D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GN2010EAINTE3D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GN2010EAINTE3D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GN2010EAINTE3D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GN2010EAINTE3D
- رقم القطعة:
- GN2010EAINTE3D
- الصانع:
- Semtech
- وصف:
- IC CDR EML DVR DUAL 32QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40481 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GN2010EAINTE3D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGN2010EAINTE3D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GN2023-INE3 | Semtech | 10G ETHERNET RX CDR | تحقيق |
|
GN2024-INE3 | Semtech | 10G ETHERNET TX CDR | تحقيق |
|
GN2013EINE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | تحقيق |
|
GN2013CCNE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | تحقيق |
|
GN2013ACNE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | تحقيق |
|
GN2004SCNTE3D | Semtech | 10G SONET TX CDR | تحقيق |
 |
GN2004SCNE3 | Semtech | 10G SONET TX CDR | تحقيق |
|
GN2012AINE3 | Semtech | DUAL 10G CDR | تحقيق |
|
GN2017AINTE3Z | Semtech | DUAL 14G CDR+VCSEL DRVR | تحقيق |
|
GN2013DINE3 | Semtech | 10G CDR WITH MSLA | تحقيق |
|
GN2044SINE3 | Semtech | QFN-32 PIN | تحقيق |
|
GN2104R3BINE3 | Semtech | MODULE RETIMER CDR | تحقيق |
|
GN2003SCNE3 | Semtech | 10G SONET RX CDR | تحقيق |
|
GN2003SCNTE3D | Semtech | 10G SONET RX CDR | تحقيق |
|
GN2010EAINE3 | Semtech | DUAL 10G CDR + EML DRIVER | تحقيق |
|
GN2010D-INE3 | Semtech | DUAL 10G CDR + DML DRIVER | تحقيق |
|
GN2105A-IBE | Semtech | MODULE CLEAREDGE CDR FC-CSP | تحقيق |
|
GN2017AINE3 | Semtech | DUAL 14G CDR+VCSEL DRVR | تحقيق |
|
GN2014ACNE3 | Semtech | 10G CDR + VCSEL DRIVER | تحقيق |
|
GN2104R2BINE3 | Semtech | MODULE RETIMER CDR | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل