Το FCPF11N60NT είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την FCPF11N60NT, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το FCPF11N60NT μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε FCPF11N60NT με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
FCPF11N60NT
- Αριθμός εξαρτήματος:
- FCPF11N60NT
- Κατασκευαστής:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 22864 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- FCPF11N60NT.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 1505pF @ 100V |
| Τάσης - Ανάλυση: | TO-220F |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 299 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | SuperMOS™ |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.8A (Tc) |
| Πόλωση: | TO-220-3 Full Pack |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | FCPF11N60NT |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 35.6nC @ 10V |
| IGBT Τύπος: | ±30V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 600V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 32.1W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για FCPF11N60NT
Latest Ειδήσεις
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED