FCPF11N60NT ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa FCPF11N60NT, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa FCPF11N60NT sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng FCPF11N60NT sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
FCPF11N60NT
- Numero ng Bahagi:
- FCPF11N60NT
- Manufacturer:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Paglalarawan:
- MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 22864 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- FCPF11N60NT.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Boltahe - Test: | 1505pF @ 100V |
| Boltahe - Breakdown: | TO-220F |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 299 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| serye: | SuperMOS™ |
| RoHS Status: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.8A (Tc) |
| polariseysyon: | TO-220-3 Full Pack |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Manufacturer Bilang Bahagi: | FCPF11N60NT |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 35.6nC @ 10V |
| Type IGBT: | ±30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Tampok: | N-Channel |
| Ang pinalawak Paglalarawan: | N-Channel 600V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | - |
| paglalarawan: | MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| kapasidad Ratio: | 32.1W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa FCPF11N60NT
Latest News
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load
- Inilulunsad ni Vishay ang minile packaging mataas na ningning Maliit na asul at purong berde na LED