Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ICs) > Μνήμη > EDB5432BEPA-1DIT-F-R
EDB5432BEPA-1DIT-F-R
Αριθμός εξαρτήματος:
EDB5432BEPA-1DIT-F-R
Κατασκευαστής:
Micron Technology
Περιγραφή:
IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
24904 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EDB5432BEPA-1DIT-F-R.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το EDB5432BEPA-1DIT-F-R είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την EDB5432BEPA-1DIT-F-R, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το EDB5432BEPA-1DIT-F-R μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε EDB5432BEPA-1DIT-F-R με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page:-
Τάσης - Προμήθεια:1.14 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία:SDRAM - Mobile LPDDR2
Σειρά:-
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 85°C (TC)
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Τύπος μνήμης:Volatile
Μέγεθος μνήμης:512Mb (16M x 32)
Διασύνδεση μνήμης:Parallel
Μορφή μνήμης:DRAM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz
Συχνότητα ρολογιού:533MHz
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EDB5432BEPA-1DIT-F-R

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EDB8132B4PB-8D-F-D Image EDB8132B4PB-8D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB8132B4PM-1D-F-R TR Image EDB8132B4PM-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB4432BBPE-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Image EDB5432BEBH-1DAUT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Έρευνα
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Image EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB8132B4PM-1D-F-D Image EDB8132B4PM-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB8132B4PM-1DAT-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB5432BEBH-1DIT-F-D Image EDB5432BEBH-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Έρευνα
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Image EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Image EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
EDB8132B4PB-8D-F-R TR Image EDB8132B4PB-8D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 168FBGA Έρευνα
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Έρευνα
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Image EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Image EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
EDB5432BEPA-1DIT-F-D Image EDB5432BEPA-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα

Latest Ειδήσεις