EDB5432BEPA-1DIT-F-R
Modèle de produit:
EDB5432BEPA-1DIT-F-R
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24904 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
EDB5432BEPA-1DIT-F-R.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.14 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR2
Séries:-
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:512Mb (16M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz
Fréquence d'horloge:533MHz
Email:[email protected]

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