Το CIGW252010GM1R0MNE είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την CIGW252010GM1R0MNE, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το CIGW252010GM1R0MNE μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε CIGW252010GM1R0MNE με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
CIGW252010GM1R0MNE
- Αριθμός εξαρτήματος:
- CIGW252010GM1R0MNE
- Κατασκευαστής:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Περιγραφή:
- FIXED IND 1UH 3.5A 52MOHM SMD
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48639 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- CIGW252010GM1R0MNE.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τύπος: | Wirewound |
| Ανοχή: | ±20% |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 1008 (2520 Metric) |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| θωράκιση: | Shielded |
| Σειρά: | CIGW |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Q @ Συχν: | - |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1008 (2520 Metric) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Υλικό - Πυρήνας: | Metal Composite |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 18 Weeks |
| Επαγωγική συχνότητα - Δοκιμή: | 1MHz |
| Επαγωγή: | 1µH |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Συχνότητα - Αυτο Resonant: | - |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| Αντίσταση DC (DCR): | 52 mOhm Max |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | 3.5A |
| Τρέχουσες - Κορεσμός: | 3.3A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για CIGW252010GM1R0MNE
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο