CIGW252010GM1R0MNE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل CIGW252010GM1R0MNE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل CIGW252010GM1R0MNE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء CIGW252010GM1R0MNE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
CIGW252010GM1R0MNE
- رقم القطعة:
- CIGW252010GM1R0MNE
- وصف:
- FIXED IND 1UH 3.5A 52MOHM SMD
- كمية المخزون:
- 48639 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- CIGW252010GM1R0MNE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1008 (2520 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | CIGW |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| حزمة / كيس: | 1008 (2520 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مادة - كور: | Metal Composite |
| الصانع المهلة القياسية: | 18 Weeks |
| تردد الحث - الاختبار: | 1MHz |
| الحث: | 1µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 52 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 3.5A |
| الحالي - التشبع: | 3.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCIGW252010GM1R0MNE
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل