Το BN154G0155K-- είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BN154G0155K--, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BN154G0155K-- μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BN154G0155K-- με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BN154G0155K--
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BN154G0155K--
- Κατασκευαστής:
- AVX Corporation
- Περιγραφή:
- CAP FILM 1.5UF 10% 250VDC RADIAL
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Περιέχει μόλυβδο / RoHS μη συμμορφούμενο
- Ποσότητα αποθέματος:
- 47447 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BN154G0155K--.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση Αξιολόγηση - DC: | 250V |
| Τάση Αξιολόγηση - AC: | 115V |
| Ανοχή: | ±10% |
| Λήξη: | PC Pins |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 0.697" L x 0.343" W (17.70mm x 8.70mm) |
| Σειρά: | BN |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 125°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.591" (15.00mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 0.575" (14.60mm) |
| Χαρακτηριστικά: | - |
| διηλεκτρικό υλικό: | Polyester, Metallized |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 1.5µF Film Capacitor 115V 250V Polyester, Metallized Radial |
| χωρητικότητα: | 1.5µF |
| εφαρμογές: | High Pulse, DV/DT |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BN154G0155K--
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BN154E0335K-- | AVX Corporation | CAP FILM 3.3UF 10% 100VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154E0334KEN | AVX Corporation | CAP FILM 0.33UF 10% 100VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154E0394J-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.39UF 5% 100VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154G0684J-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.68UF 5% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154E0474K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0224K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0104JEN | AVX Corporation | CAP FILM 0.1UF 5% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154E0475K-- | AVX Corporation | CAP FILM 4.7UF 10% 100VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154G0474K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.47UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0334K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.33UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0684KK7 | AVX Corporation | CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154I0184K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.18UF 10% 400VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0684K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0104K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.1UF 10% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154G0224KEN | AVX Corporation | CAP FILM 0.22UF 10% 250VDC RAD | Έρευνα |
|
BN154G0125J-- | AVX Corporation | CAP FILM 1.2UF 5% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154G0105KEN | AVX Corporation | CAP FILM 1UF 10% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154G0105K-- | AVX Corporation | CAP FILM 1UF 10% 250VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154I0104K-- | AVX Corporation | CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL | Έρευνα |
|
BN154I0104KEN | AVX Corporation | CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική