BN154G0155K-- está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BN154G0155K--, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BN154G0155K-- por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BN154G0155K-- con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BN154G0155K--
- Número de pieza:
- BN154G0155K--
- Fabricante:
- AVX Corporation
- Descripción:
- CAP FILM 1.5UF 10% 250VDC RADIAL
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 47447 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BN154G0155K--.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CC: | 250V |
| Clasificación de voltaje - CA: | 115V |
| Tolerancia: | ±10% |
| Terminación: | PC Pins |
| Tamaño / Medidas: | 0.697" L x 0.343" W (17.70mm x 8.70mm) |
| Serie: | BN |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Separación de terminales: | 0.591" (15.00mm) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.575" (14.60mm) |
| Caracteristicas: | - |
| material dieléctrico: | Polyester, Metallized |
| Descripción detallada: | 1.5µF Film Capacitor 115V 250V Polyester, Metallized Radial |
| Capacidad: | 1.5µF |
| aplicaciones: | High Pulse, DV/DT |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BN154G0155K--
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC