Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - RF > BLP8G27-10Z
BLP8G27-10Z
BLP8G27-10Z
Αριθμός εξαρτήματος:
BLP8G27-10Z
Κατασκευαστής:
Ampleon
Περιγραφή:
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
53185 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
BLP8G27-10Z.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το BLP8G27-10Z είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLP8G27-10Z, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLP8G27-10Z μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLP8G27-10Z με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Τάσης - Test:28V
Τάση - Ονομαστική:65V
transistor Τύπος:LDMOS (Dual), Common Source
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:16-HVSON (6x4)
Σειρά:-
Ισχύς - εξόδου:2W
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:16-VDFN Exposed Pad
Αλλα ονόματα:568-12816-2
934068976515
Θόρυβος Εικόνα:-
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):3 (168 Hours)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:13 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Κέρδος:17dB
Συχνότητα:2.14GHz
Λεπτομερής περιγραφή:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 110mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4)
τρέχουσα Αξιολόγηση:-
Τρέχουσες - Test:110mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για BLP8G27-10Z

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
BLP8G27-5Z Image BLP8G27-5Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Έρευνα
BLP8G10S-45PY Image BLP8G10S-45PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 Έρευνα
BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON Έρευνα
BLP8G05S-200Y Image BLP8G05S-200Y Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 Έρευνα
BLP8G10S-45PGY Image BLP8G10S-45PGY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP Έρευνα
BLP35M805Z Image BLP35M805Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Έρευνα
BLP9H10-30Z Ampleon BLP9H10-30/SOT1483/REELDP Έρευνα
BLP9G0722-20GZ Image BLP9G0722-20GZ Ampleon RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 Έρευνα
BLP8G10S-45PGJ Image BLP8G10S-45PGJ NXP Semiconductors / Freescale TRANS LDMOS 45W 4HSOP Έρευνα
BLP9H10-30GZ Image BLP9H10-30GZ Ampleon BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP Έρευνα
BLP8G10S-270PWY Image BLP8G10S-270PWY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 Έρευνα
BLP7G22-10Z Image BLP7G22-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Έρευνα
BLP8G20S-80PY Image BLP8G20S-80PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 Έρευνα
BLP8G21S-160PVY Image BLP8G21S-160PVY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 Έρευνα
BLP8G05S-200GY Image BLP8G05S-200GY Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Έρευνα
BLP7G07S-140PY Image BLP7G07S-140PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 Έρευνα
BLP9G0722-20Z Image BLP9G0722-20Z Ampleon RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 Έρευνα
BLP7G22-05Z Image BLP7G22-05Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Έρευνα
BLP7G07S-140P,118 Image BLP7G07S-140P,118 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F Έρευνα
BLP8G10S-45PJ Image BLP8G10S-45PJ NXP Semiconductors / Freescale TRANS LDMOS 45W 4HSOPF Έρευνα

Latest Ειδήσεις