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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BLP8G27-10Z
BLP8G27-10Z
BLP8G27-10Z
Modèle de produit:
BLP8G27-10Z
Fabricant:
Ampleon
La description:
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53185 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
BLP8G27-10Z.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS (Dual), Common Source
Package composant fournisseur:16-HVSON (6x4)
Séries:-
Alimentation - sortie:2W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:16-VDFN Exposed Pad
Autres noms:568-12816-2
934068976515
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Gain:17dB
La fréquence:2.14GHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 110mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (6x4)
Note actuelle:-
Courant - Test:110mA
Email:[email protected]

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