Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - RF > BLP8G05S-200Y
BLP8G05S-200Y
BLP8G05S-200Y
Modèle de produit:
BLP8G05S-200Y
Fabricant:
Ampleon
La description:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382
Statut sans plomb:
Sans plomb par exemption / conformité RoHS par exonération
Quantité en stock:
41304 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.BLP8G05S-200Y.pdf2.BLP8G05S-200Y.pdf
Enquête

introduction

BLP8G05S-200Y est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour BLP8G05S-200Y, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour BLP8G05S-200Y par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez BLP8G05S-200Y avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Test:28V
Tension - Nominale:65V
Transistor Type:LDMOS (Dual), Common Source
Package composant fournisseur:4-HSOPF
Séries:-
Alimentation - sortie:210W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-1138-2
Autres noms:1603-1047-2
934069547518
BLP8G05S-200Y-ND
Noise Figure:-
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Gain:21dB
La fréquence:440MHz
Description détaillée:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 4-HSOPF
Note actuelle:-
Courant - Test:2mA
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes BLP8G05S-200Y

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
BLP9G0722-20GZ Image BLP9G0722-20GZ Ampleon RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 Enquête
BLP8G27-5Z Image BLP8G27-5Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Enquête
BLP27M810Z Image BLP27M810Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Enquête
BLP25M710Z Image BLP25M710Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Enquête
BLP8G10S-45PGY Image BLP8G10S-45PGY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP Enquête
BLP7G22-10Z Image BLP7G22-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Enquête
BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON Enquête
BLP7G07S-140PY Image BLP7G07S-140PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 Enquête
BLP25M705Z Image BLP25M705Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Enquête
BLP8G21S-160PVY Image BLP8G21S-160PVY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 Enquête
BLP8G10S-45PGJ Image BLP8G10S-45PGJ NXP Semiconductors / Freescale TRANS LDMOS 45W 4HSOP Enquête
BLP7G22-05Z Image BLP7G22-05Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Enquête
BLP8G10S-45PJ Image BLP8G10S-45PJ NXP Semiconductors / Freescale TRANS LDMOS 45W 4HSOPF Enquête
BLP8G05S-200GY Image BLP8G05S-200GY Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Enquête
BLP7G07S-140P,118 Image BLP7G07S-140P,118 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F Enquête
BLP8G10S-45PY Image BLP8G10S-45PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 Enquête
BLP8G27-10Z Image BLP8G27-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Enquête
BLP8G20S-80PY Image BLP8G20S-80PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 Enquête
BLP8G10S-270PWY Image BLP8G10S-270PWY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 Enquête
BLP35M805Z Image BLP35M805Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Enquête

Latest Nouvelles