Το BLP35M805Z είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BLP35M805Z, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BLP35M805Z μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BLP35M805Z με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BLP35M805Z
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BLP35M805Z
- Κατασκευαστής:
- Ampleon
- Περιγραφή:
- RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος απαλλάσσεται από την απαλλαγή / RoHS σύμφωνα με την απαλλαγή
- Ποσότητα αποθέματος:
- 57835 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BLP35M805Z.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 28V |
| Τάση - Ονομαστική: | 65V |
| transistor Τύπος: | LDMOS |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 16-HVSON (6x4) |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - εξόδου: | 750mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 16-VDFN Exposed Pad |
| Αλλα ονόματα: | 1603-1033-2 934069735515 BLP35M805Z-ND |
| Θόρυβος Εικόνα: | - |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 13 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Κέρδος: | 18dB |
| Συχνότητα: | 2.14GHz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | RF Mosfet LDMOS 28V 55mA 2.14GHz 18dB 750mW 16-HVSON (6x4) |
| τρέχουσα Αξιολόγηση: | - |
| Τρέχουσες - Test: | 55mA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BLP35M805Z
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP10H690PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Έρευνα |
 |
BLP25M705Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Έρευνα |
|
BLP7G22-10Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Έρευνα |
|
BLP10H660PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Έρευνα |
|
BLP7G22-05Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Έρευνα |
 |
BLP8G05S-200GY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 | Έρευνα |
 |
BLP10H630PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Έρευνα |
 |
BLP15M7160PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 | Έρευνα |
|
BLP10H630PY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF | Έρευνα |
 |
BLP7G22-10,135 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON | Έρευνα |
 |
BLP27M810Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | Έρευνα |
 |
BLP8G10S-270PWY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | Έρευνα |
|
BLP7G07S-140PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 | Έρευνα |
|
BLP8G10S-45PGJ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | Έρευνα |
|
BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F | Έρευνα |
|
BLP10H690PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Έρευνα |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | Έρευνα |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | Έρευνα |
|
BLP25M710Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | Έρευνα |
|
BLP10H660PGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS