Το BAS321JF είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAS321JF, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAS321JF μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAS321JF με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAS321JF
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS321JF
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- BAS321J/SOD323/SOD2
- Ποσότητα αποθέματος:
- 38884 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAS321JF.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.25V @ 200mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 250V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOD-323 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | Automotive, AEC-Q101 |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-76, SOD-323 |
| Αλλα ονόματα: | 1727-7824-2 934660321135 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 250V 250mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 250mA (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAS321JF
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS32L,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80 | Έρευνα |
 |
BAS321,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS35,215 | Nexperia | DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23 | Έρευνα |
 |
BAS381-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA MICROMLF | Έρευνα |
 |
BAS321/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS316/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS34-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAS321/8F | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS32L,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS | Έρευνα |
|
BAS321/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS316Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | Έρευνα |
|
BAS321/8X | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS34-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAS321Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS35 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23 | Έρευνα |
|
BAS33-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAS321JX | Nexperia | BAS321J/SOD323/SOD2 | Έρευνα |
|
BAS316/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS316WS RRG | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο