Το BAS321/8X είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την BAS321/8X, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το BAS321/8X μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε BAS321/8X με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
BAS321/8X
- Αριθμός εξαρτήματος:
- BAS321/8X
- Κατασκευαστής:
- Nexperia
- Περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
- Ποσότητα αποθέματος:
- 20837 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- BAS321/8X.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.25V @ 200mA |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max): | 200V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOD-323 |
| Ταχύτητα: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά: | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR): | 50ns |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SC-76, SOD-323 |
| Αλλα ονόματα: | 934660131115 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση: | 150°C (Max) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Diode Τύπος: | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Diode Standard 200V 250mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 100nA @ 200V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 250mA (DC) |
| Χωρητικότητα @ VR, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για BAS321/8X
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS316Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2 | Έρευνα |
 |
BAS316-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321/8F | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS316,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA USC | Έρευνα |
 |
BAS316/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS33-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAS316,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321JX | Nexperia | BAS321J/SOD323/SOD2 | Έρευνα |
|
BAS321Z | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS34-TR | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35 | Έρευνα |
|
BAS316/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321/ZLX | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
 |
BAS32L,135 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80 | Έρευνα |
|
BAS321/ZLF | NXP Semiconductors / Freescale | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | Έρευνα |
|
BAS321JF | Nexperia | BAS321J/SOD323/SOD2 | Έρευνα |
 |
BAS316WS RRG | TSC (Taiwan Semiconductor) | DIODE GEN PURP 250MA SOD323F | Έρευνα |
|
BAS32L,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS | Έρευνα |
|
BAS34-TAP | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash