Το B43515B9477M000 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B43515B9477M000, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B43515B9477M000 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B43515B9477M000 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B43515B9477M000
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B43515B9477M000
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 470UF 20% 400V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 44702 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B43515B9477M000.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 400V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.575" Dia (40.00mm) |
| Σειρά: | B43515 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 2.14A @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In - 4 Lead |
| Αλλα ονόματα: | B43515B9477M B43515B9477M-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.886" (22.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 240 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 1.654" (42.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 190 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 470µF 400V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 190 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 470µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B43515B9477M000
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B43516A5277M000 | EPCOS | CAP ALUM 270UF 20% 450V SNAP 4LD | Έρευνα |
|
B43515C0567M | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5827M000 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43516A5128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 450V SNAP 4L | Έρευνα |
|
B43515B5397M087 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515C0687M | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B9687M000 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 400V SNAP | Έρευνα |
|
B43516A9108M007 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 400V SNAP 4L | Έρευνα |
|
B43515C0827M000 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B4827M000 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5567M000 | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5687M080 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0827M | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515C5687M000 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0687M | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43516A0128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 420V SNAP 4L | Έρευνα |
|
B43515C5567M000 | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5108M087 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5108M000 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash