Το B43515B5687M080 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την B43515B5687M080, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το B43515B5687M080 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε B43515B5687M080 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
B43515B5687M080
- Αριθμός εξαρτήματος:
- B43515B5687M080
- Κατασκευαστής:
- EPCOS
- Περιγραφή:
- CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 51312 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- B43515B5687M080.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάση - Ονομαστική: | 450V |
| Ανοχή: | ±20% |
| Surface Mount Οικόπεδο: | - |
| Μέγεθος / Διαστάσεις: | 1.575" Dia (40.00mm) |
| Σειρά: | B43515 |
| Ρεύμα ρεύματος @ χαμηλής συχνότητας: | 2.78A @ 100Hz |
| Ακροαματικότητα: | - |
| Πόλωση: | Polar |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | Radial, Can - Snap-In - 4 Lead |
| Αλλα ονόματα: | B43515B5687M 80 B43515B5687M80 B43515B5687M80-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -25°C ~ 105°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 22 Weeks |
| Ισόβια @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| μόλυβδος Απόσταση: | 0.886" (22.50mm) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Αντίσταση: | 280 mOhms |
| Ύψος - Καθήμενοι (Max): | 2.441" (62.00mm) |
| ESR (Ισοδύναμη Αντίσταση Σειράς): | 230 mOhm @ 100Hz |
| Λεπτομερής περιγραφή: | 680µF 450V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 230 mOhm @ 100Hz 2000 Hrs @ 105°C |
| χωρητικότητα: | 680µF |
| εφαρμογές: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για B43515B5687M080
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
B43516A5128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 450V SNAP 4L | Έρευνα |
|
B43515C0567M | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B4827M000 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515C0827M000 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0827M | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B9477M000 | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 400V SNAP | Έρευνα |
|
B43516A0128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 420V SNAP 4L | Έρευνα |
|
B43515C0687M | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5397M087 | EPCOS | CAP ALUM 390UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515C5567M000 | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0477M | EPCOS | CAP ALUM 470UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5567M000 | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5827M000 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515C5687M000 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0567M | EPCOS | CAP ALUM 560UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5128M000 | EPCOS | CAP ALUM 1200UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B0687M | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 420V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5108M000 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B9687M000 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 400V SNAP | Έρευνα |
|
B43515B5108M087 | EPCOS | CAP ALUM 1000UF 20% 450V SNAP | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC