Το APTM100H45SCTG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTM100H45SCTG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTM100H45SCTG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTM100H45SCTG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTM100H45SCTG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTM100H45SCTG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 53848 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APTM100H45SCTG.pdf2.APTM100H45SCTG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP4 |
| Σειρά: | POWER MOS 7® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 540 mOhm @ 9A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 357W |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP4 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 154nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Standard |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 18A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTM100H45SCTG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM100SK33T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 | Έρευνα |
 |
APTM100TA35FPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P | Έρευνα |
|
APTM100DSK35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Έρευνα |
|
APTM100H35FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4 | Έρευνα |
|
APTM100DDA35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3 | Έρευνα |
 |
APTM100H18FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6 | Έρευνα |
|
APTM100TA35SCTPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P | Έρευνα |
 |
APTM100H45STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | Έρευνα |
|
APTM100DUM90G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | Έρευνα |
|
APTM100H35FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | Έρευνα |
|
APTM100H45FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 | Έρευνα |
|
APTM100DU18TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | Έρευνα |
|
APTM100SK18TG | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 | Έρευνα |
|
APTM100SKM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Έρευνα |
|
APTM100H46FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | Έρευνα |
|
APTM100TDU35PG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P | Έρευνα |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | Έρευνα |
|
APTM100DAM90G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 78A SP6 | Έρευνα |
|
APTM100SK40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Έρευνα |
|
APTM100DA40T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash