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APTM100H45SCTG
APTM100H45SCTG
Modèle de produit:
APTM100H45SCTG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53848 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM100H45SCTG.pdf2.APTM100H45SCTG.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur:SP4
Séries:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:540 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max:357W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP4
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:154nC @ 10V
type de FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Description détaillée:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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