Το APTGT20TL601G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTGT20TL601G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTGT20TL601G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTGT20TL601G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTGT20TL601G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTGT20TL601G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOD IGBT 600V 32A SP1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 28258 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTGT20TL601G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 15V, 20A |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP1 |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 62W |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC θερμίστορ: | No |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 32 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce: | 1.1pF @ 25V |
| Εισαγωγή: | Standard |
| IGBT Τύπος: | Trench Field Stop |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1 |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max): | 250µA |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 32A |
| Διαμόρφωση: | Three Level Inverter |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTGT20TL601G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT20DDA60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 | Έρευνα |
|
APTGT20H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTGT200SK170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | Έρευνα |
|
APTGT225SK170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | Έρευνα |
|
APTGT20H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTGT25H120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTGT225DU170G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | Έρευνα |
|
APTGT200SK60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | Έρευνα |
|
APTGT20DSK60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | Έρευνα |
|
APTGT25SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | Έρευνα |
|
APTGT25A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Έρευνα |
|
APTGT25DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | Έρευνα |
 |
APTGT200TL60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | Έρευνα |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | Έρευνα |
|
APTGT25A120T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | Έρευνα |
|
APTGT225A170G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | Έρευνα |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | Έρευνα |
|
APTGT20X60T3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 | Έρευνα |
|
APTGT20A60T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | Έρευνα |
|
APTGT225DA170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών