APTGT20TL601G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTGT20TL601G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTGT20TL601G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTGT20TL601G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTGT20TL601G
- Part Number:
- APTGT20TL601G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- MOD IGBT 600V 32A SP1
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 28258 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTGT20TL601G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.9V @ 15V, 20A |
| Dodavatel zařízení Package: | SP1 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 62W |
| Paket / krabice: | SP1 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC termistor: | No |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 32 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Cies) @ Vce: | 1.1pF @ 25V |
| Vstup: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Detailní popis: | IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1 |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 250µA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 32A |
| Konfigurace: | Three Level Inverter |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTGT20TL601G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT20DDA60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 | Dotaz |
|
APTGT20H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Dotaz |
|
APTGT200SK170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | Dotaz |
|
APTGT225SK170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | Dotaz |
|
APTGT20H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTGT25H120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | Dotaz |
|
APTGT225DU170G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | Dotaz |
|
APTGT200SK60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | Dotaz |
|
APTGT20DSK60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | Dotaz |
|
APTGT25SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | Dotaz |
|
APTGT25A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | Dotaz |
|
APTGT25DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | Dotaz |
 |
APTGT200TL60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | Dotaz |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | Dotaz |
|
APTGT25A120T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | Dotaz |
|
APTGT225A170G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | Dotaz |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | Dotaz |
|
APTGT20X60T3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 | Dotaz |
|
APTGT20A60T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | Dotaz |
|
APTGT225DA170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | Dotaz |
Latest News
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen