APTGT20TL601G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTGT20TL601G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTGT20TL601G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTGT20TL601G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTGT20TL601G
- رقم القطعة:
- APTGT20TL601G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOD IGBT 600V 32A SP1
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28258 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTGT20TL601G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 1.9V @ 15V, 20A |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP1 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 62W |
| حزمة / كيس: | SP1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 1.1pF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1 |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 250µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 32A |
| ترتيب: | Three Level Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTGT20TL601G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTGT20DDA60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT20H60T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT200SK170D3G | Microsemi | IGBT 1700V 400A 1250W D3 | تحقيق |
|
APTGT225SK170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | تحقيق |
|
APTGT20H60T3G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTGT25H120T1G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTGT225DU170G | Microsemi | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK60TG | Microsemi | IGBT 600V 290A 625W SP4 | تحقيق |
|
APTGT20DSK60T3G | Microsemi | IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3 | تحقيق |
|
APTGT25SK120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | تحقيق |
|
APTGT25A120D1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 | تحقيق |
|
APTGT25DA120D1G | Microsemi | IGBT 1200V 40A 140W D1 | تحقيق |
 |
APTGT200TL60G | Microsemi | POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK120G | Microsemi | IGBT 1200V 280A 890W SP6 | تحقيق |
|
APTGT25A120T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT225A170G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 | تحقيق |
|
APTGT200SK60T3AG | Microsemi | MOD IGBT 600V 290A SP3 | تحقيق |
|
APTGT20X60T3G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 | تحقيق |
|
APTGT20A60T1G | Microsemi | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 | تحقيق |
|
APTGT225DA170G | Microsemi | IGBT 1700V 340A 1250W SP6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار