Το APTC60AM83BC1G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTC60AM83BC1G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTC60AM83BC1G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTC60AM83BC1G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTC60AM83BC1G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTC60AM83BC1G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 25385 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTC60AM83BC1G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 3mA |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP1 |
| Σειρά: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 83 mOhm @ 24.5A, 10V |
| Ισχύς - Max: | 250W |
| Συσκευασία: | Tray |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP1 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| FET Τύπος: | 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) |
| FET Χαρακτηριστικό: | Super Junction |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 600V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1 |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 36A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTC60AM83BC1G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTC60DAM18CTG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 143A SP4 | Έρευνα |
 |
APTC60DDAM70CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60DDAM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | Έρευνα |
 |
APTC60AM35SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4 | Έρευνα |
|
APTC60DDAM45CT1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60DAM24CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP4 | Έρευνα |
|
APTC60DDAM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60DAM35T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM24T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM70T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM35T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM24SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 | Έρευνα |
|
APTC60AM83B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | Έρευνα |
 |
APTC60DDAM35T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 | Έρευνα |
|
APTC60AM45T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60DAM24T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 95A SP1 | Έρευνα |
 |
APTC60BBM24T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F | Έρευνα |
 |
APTC60AM45B1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM45BC1G | Microsemi | MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 | Έρευνα |
|
APTC60AM42F2G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο