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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTC60AM83BC1G
APTC60AM83BC1G
Modèle de produit:
APTC60AM83BC1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
25385 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APTC60AM83BC1G.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 3mA
Package composant fournisseur:SP1
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:83 mOhm @ 24.5A, 10V
Puissance - Max:250W
Emballage:Tray
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
type de FET:3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Fonction FET:Super Junction
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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