Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
Αριθμός εξαρτήματος:
APT94N65B2C6
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
29978 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
1.APT94N65B2C6.pdf2.APT94N65B2C6.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT94N65B2C6 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT94N65B2C6, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT94N65B2C6 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT94N65B2C6 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 3.5mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:T-MAX™ [B2]
Σειρά:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 35.2A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):833W (Tc)
Συσκευασία:Bulk
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατασκευαστής Standard Lead Time:18 Weeks
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:8140pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:320nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:Super Junction
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:95A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT94N65B2C6

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 Έρευνα
APT97N65LC6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 Έρευνα
APT85GR120L Image APT85GR120L Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO264 Έρευνα
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 Έρευνα
APT9M100B Image APT9M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Έρευνα
APTC60AM242G Image APTC60AM242G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2 Έρευνα
APT85GR120J Image APT85GR120J Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP Έρευνα
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 Έρευνα
APT95GR65JDU60 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Έρευνα
APT85GR120B2 Image APT85GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 170A 962W TO247 Έρευνα
APT85GR120JD60 Image APT85GR120JD60 Microsemi IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP Έρευνα
APT95GR65B2 Image APT95GR65B2 Microsemi IGBT 650V 208A 892W T-MAX Έρευνα
APTC60AM18SCG Image APTC60AM18SCG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 Έρευνα
APT9F100S Image APT9F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK Έρευνα
APT9F100B Image APT9F100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Έρευνα
APTC60AM24T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1 Έρευνα
APTC60AM24SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4 Έρευνα
APT94N65B2C3G Image APT94N65B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 Έρευνα
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 Έρευνα
APT8DQ60KCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 Έρευνα

Latest Ειδήσεις