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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
APT94N65B2C6
Modello di prodotti:
APT94N65B2C6
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29978 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APT94N65B2C6.pdf2.APT94N65B2C6.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 3.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 35.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):833W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8140pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:320nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Tc)
Email:[email protected]

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