Το APT6010B2LLG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT6010B2LLG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT6010B2LLG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT6010B2LLG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT6010B2LLG
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT6010B2LLG
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 43978 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT6010B2LLG.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Test: | 6710pF @ 25V |
| Τάσης - Ανάλυση: | T-MAX™ [B2] |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 100 mOhm @ 27A, 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | POWER MOS 7® |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 54A (Tc) |
| Πόλωση: | TO-247-3 Variant |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | APT6010B2LLG |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 150nC @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 5V @ 2.5mA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 690W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT6010B2LLG
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT58MJ50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP | Έρευνα |
 |
APT60D100LCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | Έρευνα |
|
APT6017LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Έρευνα |
 |
APT58M50JCU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | Έρευνα |
|
APT5SM170B | Microsemi | MOSFET N-CH 700V TO247 | Έρευνα |
 |
APT58M50JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 | Έρευνα |
|
APT58M80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT58M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT60D100BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | Έρευνα |
|
APT6040BNG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Έρευνα |
|
APT58M50JU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | Έρευνα |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | Έρευνα |
|
APT5SM170S | Microsemi | MOSFET N-CH 700V D3PAK | Έρευνα |
|
APT58M50JU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT5F100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | Έρευνα |
|
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | Έρευνα |
|
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT6030BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | Έρευνα |
|
APT6040BN | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Έρευνα |
|
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο