Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT6010B2LLG
APT6010B2LLG
APT6010B2LLG
Modèle de produit:
APT6010B2LLG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
43978 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT6010B2LLG.pdf
Enquête

introduction

APT6010B2LLG est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour APT6010B2LLG, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour APT6010B2LLG par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez APT6010B2LLG avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Tension - Test:6710pF @ 25V
Tension - Ventilation:T-MAX™ [B2]
Vgs (th) (Max) @ Id:100 mOhm @ 27A, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:POWER MOS 7®
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:54A (Tc)
Polarisation:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT6010B2LLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 2.5mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:600V
Ratio de capacité:690W (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT6010B2LLG

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT58MJ50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Enquête
APT60D100LCTG Image APT60D100LCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 Enquête
APT6017LFLLG Image APT6017LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Enquête
APT58M50JCU3 Image APT58M50JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 Enquête
APT5SM170B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Enquête
APT58M50JCU2 Image APT58M50JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 Enquête
APT58M80J Image APT58M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 Enquête
APT58M50J Image APT58M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Enquête
APT60D100BG Image APT60D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 Enquête
APT6040BNG Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Enquête
APT58M50JU2 Image APT58M50JU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 Enquête
APT60D100SG Image APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 Enquête
APT5SM170S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK Enquête
APT58M50JU3 Image APT58M50JU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Enquête
APT5F100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Enquête
APT6013LLLG Image APT6013LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 Enquête
APT6013JLL Image APT6013JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 Enquête
APT6030BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD Enquête
APT6040BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Enquête
APT6017LLLG Image APT6017LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Enquête

Latest Nouvelles