Το APT54GA60B είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT54GA60B, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT54GA60B μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT54GA60B με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APT54GA60B
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APT54GA60B
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- IGBT 600V 96A 416W TO-247
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 33888 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APT54GA60B.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 32A |
| Test Condition: | 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (on / off) στους 25 ° C: | 17ns/112ns |
| εναλλαγή Ενέργειας: | 534µJ (on), 466µJ (off) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-247 [B] |
| Σειρά: | POWER MOS 8™ |
| Ισχύς - Max: | 416W |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-247-3 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 29 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Τύπος εισόδου: | Standard |
| IGBT Τύπος: | PT |
| πύλη Χρέωση: | 158nC |
| Λεπτομερής περιγραφή: | IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης παλμικού (ICM): | 161A |
| Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max): | 96A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APT54GA60B
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT56F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Έρευνα |
|
APT56F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 | Έρευνα |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT5510JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT54GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO247 | Έρευνα |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Έρευνα |
|
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT56M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | Έρευνα |
|
APT5518BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Έρευνα |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Έρευνα |
|
APT55M50JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Έρευνα |
 |
APT56F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Έρευνα |
|
APT50MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SOT227 | Έρευνα |
|
APT56F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 | Έρευνα |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Έρευνα |
|
APT55M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το ARM εμφανίστηκε στο Computex 2024: Αναμένεται ότι πάνω από 100 δισεκατομμύρια συσκευές ARM μπορούν να χρησιμοποιηθούν για το AI μέχρι το τέλος του 2025
- Το Qorvo ξεκίνησε τα εξαιρετικά προκριματικά του κλάδου 5G MMIMO 5G MMIMO
- Απογραφή του κύκλου προσομοίωσης Βυθίζεται, η AI οδηγεί τη ζήτηση μνήμης flash συνεχίζεται
- Το σχέδιο της Micron για την κατασκευή ενός εργοστασίου, NAND Flash Memory σε υψηλές τιμές ή συντήρηση
- Η απόδοση ADI μειώνεται, τα υποστρώματα χαλκού αλουμινίου έχουν αυξηθεί, η αποθήκευση της αρχικής αύξησης του εργοστασίου συντηρητικού παραγωγής συντηρητικού
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική