APT54GA60B je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APT54GA60B, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APT54GA60B e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APT54GA60B s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APT54GA60B
- Part Number:
- APT54GA60B
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 600V 96A 416W TO-247
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 33888 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APT54GA60B.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.5V @ 15V, 32A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 17ns/112ns |
| přepínání energie: | 534µJ (on), 466µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247 [B] |
| Série: | POWER MOS 8™ |
| Power - Max: | 416W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 29 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | PT |
| Gate Charge: | 158nC |
| Detailní popis: | IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B] |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 161A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 96A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT54GA60B
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT56F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | Dotaz |
 |
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Dotaz |
|
APT56F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 | Dotaz |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Dotaz |
|
APT5510JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT54GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO247 | Dotaz |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Dotaz |
|
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Dotaz |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Dotaz |
|
APT56M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | Dotaz |
|
APT5518BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Dotaz |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Dotaz |
|
APT55M50JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 | Dotaz |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Dotaz |
 |
APT56F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Dotaz |
|
APT50MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SOT227 | Dotaz |
|
APT56F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 | Dotaz |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Dotaz |
|
APT55M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | Dotaz |
Latest News
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila