Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > APT30M40B2VFRG
APT30M40B2VFRG
APT30M40B2VFRG
Αριθμός εξαρτήματος:
APT30M40B2VFRG
Κατασκευαστής:
Microsemi
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX
Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα αποθέματος:
56986 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days
Χρόνος παράδοσης:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT30M40B2VFRG.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

Το APT30M40B2VFRG είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APT30M40B2VFRG, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APT30M40B2VFRG μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APT30M40B2VFRG με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Κατάσταση New & Original, tested
Χώρα προέλευσης Contact us
Κώδικας σήμανσης Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):-
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:T-MAX™ [B2]
Σειρά:POWER MOS V®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 500mA, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):-
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:TO-247-3 Variant
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:10200pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:425nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):-
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):300V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 300V 76A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT30M40B2VFRG

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT30GT60BRG Image APT30GT60BRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 Έρευνα
APT30M85BVRG Image APT30M85BVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 Έρευνα
APT30GP60LDLG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO264 Έρευνα
APT30M70BVRG Image APT30M70BVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 Έρευνα
APT30GT60KRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO220 Έρευνα
APT30GP60JDQ1 Image APT30GP60JDQ1 Microsemi IGBT 600V 67A 245W SOT227 Έρευνα
APT30M40JVR Image APT30M40JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 Έρευνα
APT30M19JVFR Image APT30M19JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 Έρευνα
APT30GS60KRG Microsemi IGBT 600V 54A 250W TO220 Έρευνα
APT30M70SVRG Image APT30M70SVRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK Έρευνα
APT30GS60BRDLG Image APT30GS60BRDLG Microsemi IGBT 600V 54A 250W TO247 Έρευνα
APT30M70BVFRG Image APT30M70BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 Έρευνα
APT30GS60BRDQ2G Image APT30GS60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 54A 250W SOT227 Έρευνα
APT30M85BVFRG Image APT30M85BVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 Έρευνα
APT30GT60BRDQ2G Image APT30GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 Έρευνα
APT30M19JVR Image APT30M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 Έρευνα
APT30M60J Image APT30M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 Έρευνα
APT30N60BC6 Image APT30N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 Έρευνα
APT30M85SVFRG Image APT30M85SVFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK Έρευνα
APT30M40JVFR Image APT30M40JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις