APT30M40B2VFRG è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per APT30M40B2VFRG, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per APT30M40B2VFRG via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista APT30M40B2VFRG con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
APT30M40B2VFRG
- Modello di prodotti:
- APT30M40B2VFRG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 56986 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- APT30M40B2VFRG.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 425nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 300V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 300V 76A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 76A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT30M40B2VFRG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT30GT60BRG | Microsemi | IGBT 600V 64A 250W TO247 | Inchiesta |
|
APT30M85BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 | Inchiesta |
 |
APT30GP60LDLG | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO264 | Inchiesta |
|
APT30M70BVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30GT60KRG | Microsemi | IGBT 600V 64A 250W TO220 | Inchiesta |
 |
APT30GP60JDQ1 | Microsemi | IGBT 600V 67A 245W SOT227 | Inchiesta |
 |
APT30M40JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30M19JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30GS60KRG | Microsemi | IGBT 600V 54A 250W TO220 | Inchiesta |
 |
APT30M70SVRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK | Inchiesta |
|
APT30GS60BRDLG | Microsemi | IGBT 600V 54A 250W TO247 | Inchiesta |
|
APT30M70BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30GS60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 54A 250W SOT227 | Inchiesta |
|
APT30M85BVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30GT60BRDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 64A 250W TO247 | Inchiesta |
|
APT30M19JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30M60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | Inchiesta |
|
APT30N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | Inchiesta |
|
APT30M85SVFRG | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK | Inchiesta |
|
APT30M40JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato