Το 2N4338-E3 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την 2N4338-E3, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το 2N4338-E3 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε 2N4338-E3 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
2N4338-E3
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 2N4338-E3
- Κατασκευαστής:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 48492 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 2N4338-E3.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - αποκοπής (VGS εκτός) @ Id: | 300mV @ 100nA |
| Τάσης - Ανάλυση (V (BR) GSS): | 50V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | TO-206AA (TO-18) |
| Σειρά: | - |
| Ισχύς - Max: | 300mW |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Through Hole |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 7pF @ 15V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| Λεπτομερής περιγραφή: | JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18) |
| Τρέχουσες - αποστράγγισης (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 200µA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για 2N4338-E3
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
2N4362 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 200V 70A TO-94 | Έρευνα |
 |
2N4250A | Central Semiconductor | TRANSISTOR PNP TO-106 | Έρευνα |
 |
2N4261 | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 | Έρευνα |
|
2N4264 | Central Semiconductor | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | Έρευνα |
|
2N4240 | Microsemi | PNP TRANSISTOR | Έρευνα |
 |
2N4338-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | Έρευνα |
|
2N4364 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 600V 70A TO-94 | Έρευνα |
|
2N4365 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 800V 70A TO-94 | Έρευνα |
|
2N4250 | Central Semiconductor | TRANSISTOR PNP TO-106 | Έρευνα |
|
2N4339-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Έρευνα |
|
2N4238 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | Έρευνα |
|
2N4338 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | Έρευνα |
|
2N4363 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 400V 70A TO-94 | Έρευνα |
 |
2N4340 | Central Semiconductor | JFET N-CH 50V TO18 | Έρευνα |
|
2N4361 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 100V 70A TO-94 | Έρευνα |
|
2N4300 | Microsemi | PNP TRANSISTOR | Έρευνα |
|
2N4261UB | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A | Έρευνα |
|
2N4339-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Έρευνα |
|
2N4366 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 1000V 70A TO-94 | Έρευνα |
|
2N4339 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Το κύμα της νοημοσύνης στο αυτοκίνητο έρχεται και ο Aimus Oslang βοήθησε το Sagita Juguang να απελευθερώσει το MX Lidar
- Η παραγωγική ικανότητα HBM αποκλείεται, η μνήμη DRAM μπορεί να είναι σε σύντομο χρονικό διάστημα κατά το δεύτερο εξάμηνο του έτους
- Οι ιδρυτές τοίχου θα τελειώσουν, θα πρέπει να αυξηθούν ξανά το DRAM
- AI Κινητό τηλέφωνο και η ζήτηση επέκτασης PC, βελτίωση της παγκόσμιας βιομηχανίας παραγωγής ημιαγωγών
- Κατανοήστε τις ανάγκες των συστημάτων παρακολούθησης ADAS και καμπίνας για αισθητήρες εικόνας ασφαλείας δικτύου
- Φημολογείται ότι η Samsung και η SK Hynix σταμάτησαν το DDR3 και η προσφορά προώθησης αυξήθηκε κατά 20 %
- Η Melexis κυκλοφόρησε MLX90427: Έλεγχος γραμμής σε νέα επιλογή, ασφαλή, αποτελεσματική και οικονομική
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash