2N4338-E3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro 2N4338-E3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro 2N4338-E3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si 2N4338-E3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
2N4338-E3
- Part Number:
- 2N4338-E3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 48492 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- 2N4338-E3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Cutoff (VGS off) 'Id: | 300mV @ 100nA |
| Napětí - Breakdown (V (BR) GSS): | 50V |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-206AA (TO-18) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300mW |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 7pF @ 15V |
| Typ FET: | N-Channel |
| Detailní popis: | JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18) |
| Proud - Drain (IDS) @ VDS (Vgs = 0): | 200µA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro 2N4338-E3
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
2N4362 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 200V 70A TO-94 | Dotaz |
 |
2N4250A | Central Semiconductor | TRANSISTOR PNP TO-106 | Dotaz |
 |
2N4261 | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 | Dotaz |
|
2N4264 | Central Semiconductor | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | Dotaz |
|
2N4240 | Microsemi | PNP TRANSISTOR | Dotaz |
 |
2N4338-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | Dotaz |
|
2N4364 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 600V 70A TO-94 | Dotaz |
|
2N4365 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 800V 70A TO-94 | Dotaz |
|
2N4250 | Central Semiconductor | TRANSISTOR PNP TO-106 | Dotaz |
|
2N4339-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Dotaz |
|
2N4238 | Microsemi | NPN TRANSISTOR | Dotaz |
|
2N4338 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | Dotaz |
|
2N4363 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 400V 70A TO-94 | Dotaz |
 |
2N4340 | Central Semiconductor | JFET N-CH 50V TO18 | Dotaz |
|
2N4361 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 100V 70A TO-94 | Dotaz |
|
2N4300 | Microsemi | PNP TRANSISTOR | Dotaz |
|
2N4261UB | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A | Dotaz |
|
2N4339-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Dotaz |
|
2N4366 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 1000V 70A TO-94 | Dotaz |
|
2N4339 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | Dotaz |
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory