ZXMN6A11GTA est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour ZXMN6A11GTA, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour ZXMN6A11GTA par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez ZXMN6A11GTA avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
ZXMN6A11GTA
- Modèle de produit:
- ZXMN6A11GTA
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 48782 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- ZXMN6A11GTA.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-223 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | ZXMN6A11GDKR ZXMN6A11GDKRINACTIVE ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.7nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 3.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes ZXMN6A11GTA
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement