ZXMN6A11GTA
ZXMN6A11GTA
Modello di prodotti:
ZXMN6A11GTA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
48782 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
ZXMN6A11GTA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:120 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:ZXMN6A11GDKR
ZXMN6A11GDKRINACTIVE
ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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