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ZXMHC6A07N8TC
- Modèle de produit:
- ZXMHC6A07N8TC
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 21824 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- ZXMHC6A07N8TC.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Puissance - Max: | 870mW |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | ZXMHC6A07N8DIDKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 166pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.39A, 1.28A |
| Numéro de pièce de base: | ZXMHC6A07 |
| Email: | [email protected] |
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