ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC
Modèle de produit:
ZXMHC10A07N8TC
Fabricant:
Diodes Incorporated
La description:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21371 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
ZXMHC10A07N8TC.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SOP
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 1.5A, 10V
Puissance - Max:870mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:ZXMHC10A07N8DICT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:33 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:138pF @ 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.9nC @ 10V
type de FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 800mA, 680mA 870mW Surface Mount 8-SOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:800mA, 680mA
Numéro de pièce de base:ZXMHC10A07
Email:[email protected]

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