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TPCF8101(TE85L,F,M
- Modèle de produit:
- TPCF8101(TE85L,F,M
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 22359 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | VS-8 (2.9x1.5) |
| Séries: | U-MOSIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 700mW (Ta) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms: | TPCF8101(TE85LFMCT TPCF8101FCT TPCF8101FCT-ND |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| Description détaillée: | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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