TPCC8067-H,LQ(S
Modèle de produit:
TPCC8067-H,LQ(S
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
33234 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.TPCC8067-H,LQ(S.pdf2.TPCC8067-H,LQ(S.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Séries:U-MOSVII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta), 15W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:TPCC8067-HLQ(S
TPCC8067HLQS
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 9A (Ta) 700mW (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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