TPC6111(TE85L,F,M)
TPC6111(TE85L,F,M)
Modèle de produit:
TPC6111(TE85L,F,M)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
24743 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.TPC6111(TE85L,F,M).pdf2.TPC6111(TE85L,F,M).pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:VS-6 (2.9x2.8)
Séries:U-MOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms:TPC6111(TE85L,F)
TPC6111(TE85LFM)TR
TPC6111TE85LFM
TPC6111TE85LFTR
TPC6111TE85LFTR-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

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