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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX
Modèle de produit:
TK12A60W,S4VX
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
39563 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
TK12A60W,S4VX.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 600µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220SIS
Séries:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipation de puissance (max):35W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:890pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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