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TK12E80W,S1X
- Modèle de produit:
- TK12E80W,S1X
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 45054 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TK12E80W,S1X.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 570µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | DTMOSIV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 5.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 165W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | TK12E80W,S1X(S TK12E80WS1X |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| Description détaillée: | N-Channel 800V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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