TE28F256J3F105A est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour TE28F256J3F105A, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour TE28F256J3F105A par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez TE28F256J3F105A avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
TE28F256J3F105A
- Modèle de produit:
- TE28F256J3F105A
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 32631 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TE28F256J3F105A.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 105ns |
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FLASH - NOR |
| Package composant fournisseur: | 56-TSOP (18.4x14) |
| Séries: | StrataFlash™ |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Autres noms: | 898374 898374-ND TE28F256J3F105 898374 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FLASH |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8, 16M x 16) Parallel 105ns 56-TSOP (18.4x14) |
| Numéro de pièce de base: | 28F256J3 |
| Temps d'accès: | 105ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes TE28F256J3F105A
Latest Nouvelles
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC